| 发明名称 | 导电元件结构和方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了导电元件结构及其制造方法。在一些实施例中，在绝缘层中形成导电元件的方法包括：在绝缘层上方所设置的金属层中形成凹槽；在凹槽的侧壁上选择性地形成金属衬里；以及将金属层和金属衬里用作掩模，在绝缘层中蚀刻通孔。 | ||
| 申请公布号 | CN105321814A | 申请公布日期 | 2016.02.10 |
| 申请号 | CN201410488038.8 | 申请日期 | 2014.09.22 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 杨岱宜;刘相玮;吴佳典;李香寰;林天禄 |
| 分类号 | H01L21/3105(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3105(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种方法，包括：在绝缘层上方设置的金属层中形成凹槽；在所述凹槽的侧壁上选择性地形成金属衬里；以及将所述金属层和所述金属衬里用作掩模，在所述绝缘层中蚀刻通孔。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||