发明名称 形成抗沾粘涂层的方法与抗沾粘涂层
摘要 本发明提供一种在半导体元件的表面上形成抗沾粘涂层的方法。在抗沾粘涂层沉积之前,先使用原子层沉积工艺以活化表面,以取得对表面具有强化学键合的抗沾粘涂层。
申请公布号 CN105316652A 申请公布日期 2016.02.10
申请号 CN201410357196.X 申请日期 2014.07.25
申请人 立景光电股份有限公司 发明人 罗兰德.V.盖德
分类号 C23C16/455(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I 主分类号 C23C16/455(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 贾静环
主权项 一种在半导体装置的表面上形成抗沾粘涂层的方法,包括:将所述半导体装置的表面提供至第一反应室;对所述半导体装置进行原子层沉积过程,其中以三甲基铝与水的交替反应循环进行所述原子层沉积过程以在所述第一反应室中的所述半导体装置的表面上沉积氧化铝薄膜;在所述第一反应室中,终止所述原子层沉积过程于三甲基铝循环,以形成反应表面;在控制的环境下,将所述半导体装置从所述第一反应室传递至第二反应室;提供至少一氟化成分至所述第二反应室;以及透过所述氟化成分与三甲基铝的反应在所述半导体装置的表面上形成抗沾粘涂层。
地址 中国台湾台南市