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发明名称
同一基板へのＣＭＯＳ及びトレンチダイオードの作製方法
摘要
申请公布号
JP5856868(B2)
申请公布日期
2016.02.10
申请号
JP20120032503
申请日期
2012.02.17
申请人
国立大学法人九州工業大学
发明人
馬場 昭好
分类号
H01L31/10;H01L27/146
主分类号
H01L31/10
代理机构
代理人
主权项
地址
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