| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括：输入/输出焊盘；数据传送单元，所述数据传送单元包括MOS晶体管，所述MOS晶体管的主体耦合到电源端子VDD或地电压端子VSS，所述MOS晶体管响应于单独的控制信号而在所述输入/输出焊盘与内部电路之间形成数据传送路径；以及寄生二极管，所述寄生二极管与所述MOS晶体管并联地配置在所述输入/输出焊盘与所述电源端子VDD或所述地电压端子VSS之间以将进入的静电放电ESD释放。 | ||
| 申请公布号 | CN102122816B | 申请公布日期 | 2016.02.10 |
| 申请号 | CN201010287663.8 | 申请日期 | 2010.09.17 |
| 申请人 | 美格纳半导体有限会社 | 发明人 | 金瑛哲;蒋一权;柳枝澔;金京植;金素娟 |
| 分类号 | H02H9/00(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | H02H9/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 康建峰;苗迎华 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：输入/输出焊盘；数据传送单元，所述数据传送单元包括MOS晶体管，所述MOS晶体管的主体耦合到电源端子VDD或地电压端子VSS，所述MOS晶体管响应于单独的控制信号形成数据传送路径；以及寄生二极管，所述寄生二极管与所述MOS晶体管并联地配置在所述输入/输出焊盘与所述电源端子VDD或所述地电压端子VSS之间以将进入的静电放电ESD释放，其中，所述数据传送单元包括在内部电路中。 | ||
| 地址 | 韩国忠清北道清州市 | ||