| 发明名称 | 钴基膜形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种能够稳定供给熔点低、40℃左右为液体、引起配管中途的固化闭塞的可能性小的原料，容易形成高品质钴基膜的技术，该技术使用双(N,N'-二异丙基丙脒)钴。 | ||
| 申请公布号 | CN103874781B | 申请公布日期 | 2016.02.10 |
| 申请号 | CN201280049744.1 | 申请日期 | 2012.10.04 |
| 申请人 | 气相成长株式会社;东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 町田英明;石川真人;须藤弘;河野有美子;岩井和俊 |
| 分类号 | C23C16/18(2006.01)I;C07C257/14(2006.01)I;C07C211/65(2006.01)I;C07F15/06(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种钴基膜形成方法，其特征在于，具有：将双(N,N'‑二异丙基丙脒)钴输送到成膜室的输送工序；和通过被输送到所述成膜室的双(N,N'‑二异丙基丙脒)钴的分解，在基板上形成钴基膜的成膜工序，所述成膜工序至少具有第一成膜工序和第二成膜工序，所述第二成膜工序为所述第一成膜工序之后的工序，所述第一成膜工序中的所述成膜室的内部压力高于所述第二成膜工序中的所述成膜室的内部压力，在所述第一成膜工序中，至少向所述成膜室供给NH<sub>3</sub>和/或能够生成NH<sub>3</sub>的化合物，实质上不向所述成膜室供给H<sub>2</sub>，在所述第二成膜工序中，向所述成膜室供给NH<sub>3</sub>和/或能够生成NH<sub>3</sub>的化合物以及H<sub>2</sub>，在所述第二成膜工序中，以摩尔比计，(所述H<sub>2</sub>)/(所述NH<sub>3</sub>和/或能够生成NH<sub>3</sub>的化合物)＝0.0001～2。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||