一种可避免有机污染的CVD石墨烯FET器件制造方法

摘要

本发明是一种可避免有机污染的CVD石墨烯FET器件制造方法，其特征在于将Au膜辅助剥离技术同自对准技术结合。优点：避免了转移过程及FET器件流程中带入的有机污染，利于减小金属和石墨烯之间的接触电阻，同时降低沟道区石墨烯受到来自残留胶的散射和电子捕获；同时以Au为转移载体可同湿法腐蚀自对准工艺完美兼容，在避免有机污染的同时可实现控制栅-源间距以减小沟道两端寄生电阻，利于提升石墨烯场效应晶体管的频率性能。

主权项

一种可避免有机污染的CVD石墨烯FET器件制造方法，其特征在于将Au膜辅助剥离技术同自对准技术结合，具体制作步骤如下：1）CVD法制备的石墨烯材料制备于金属Cu衬底上，在石墨烯连带衬底上蒸发一层金属，作为转移载体；2）将上述材料中Au朝上Cu朝下置于腐蚀液中，下面金属溶解，石墨烯附着于上层金属上；3）样品转移至去离子水清洗掉腐蚀液中带出的残留离子；4）将样品转移至目标衬底；5）样品光刻，选择需要保留的隔离区有光刻胶保护；6）样品浸泡入腐金液中腐蚀掉不需要区域的金属膜，去离子水清洗后以氧等离子体刻蚀掉暴露出来的石墨烯；7）以平面光刻显影技术在隔离区进行栅的光刻，选择性曝光露出栅电极区；8）对样品进行浸泡腐蚀，去掉栅区石墨烯上方的金属,同时侧腐可确保栅和源之间形成物理隔离，腐蚀完成后去离子水清洗；9）同光刻条件下以此进行栅介质的制备和栅金属的制备，之后浸泡丙酮剥离金属，完成石墨烯FET器件的制备。