| 发明名称 | 改善晶圆局部露光的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种改善晶圆局部露光的方法，包括：同步预对准阶段，预先进行水平及平坦侦测，检测晶面晶背状况；实时体现机台露光阶段的状态，同时也以实时数据对露光晶圆进行预先聚焦、水平及平坦补正。本发明使得在露光前，保证晶圆较平坦且稳定的状态。 | ||
| 申请公布号 | CN103137436B | 申请公布日期 | 2016.02.10 |
| 申请号 | CN201110391838.4 | 申请日期 | 2011.11.30 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 刘金磊;陈志刚;陈卢佳 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 孙大为 |
| 主权项 | 一种改善晶圆局部露光的方法，其特征在于，包括：同步预对准阶段，预先进行水平及平坦检测，检测晶面晶背状况；实时体现机台露光阶段的状态，同时也以实时数据对露光晶圆进行预先聚焦、水平及平坦补正；在所述同步预对准阶段，预先进行水平及平坦检测后，将检测数据反馈给所述露光阶段；所述同步预对准阶段通过中间连线的服务器实现和所述露光阶段的数据互通及对所述露光阶段预补。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||