硅基GaN薄膜的制造方法

摘要

本发明公开了一种硅基GaN薄膜的制造方法，首先在硅衬底背面刻蚀出沟槽，然后在硅衬底正面上生长GaN薄膜，也可以先在沟槽中填充或生长加强薄膜，再在硅衬底正面上生长GaN薄膜。本发明的硅基GaN薄膜的制造方法，由于硅衬底背面形成有沟槽，能减少硅衬底的强度，从而在硅衬底正面生长GaN薄膜时由于晶格失配和热失配产生应力的情况下，硅衬底能发生适当的形变来释放GaN与硅衬底之间的应力，减少硅基上大面积生长GaN薄膜时因应力过大而导致硅衬底正面生长的GaN薄膜产生缺陷或裂纹的风险。

主权项

一种硅基GaN薄膜的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：一.在硅衬底背面形成带图形的光刻胶或硬掩模版；二.利用带图形的光刻胶或硬掩模版作为刻蚀阻挡层，在硅衬底背面刻蚀出沟槽；三.将所述光刻胶或硬掩模版去除，在沟槽中填充或生长加强薄膜；所述加强薄膜是二氧化硅、多晶硅或多孔硅；四.在硅衬底正面上生长GaN薄膜。