| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 实施方式的半导体装置包含：第一半导体层；第二半导体层，设置在第一半导体层上，且带隙大于第一半导体层；源极电极及漏极电极，设置在第二半导体层上，且在源极电极及漏极电极中至少任一个的与第二半导体层相接一侧包含多个凸部；以及栅极电极，设置在源极电极与漏极电极之间。 | ||
| 申请公布号 | CN105322016A | 申请公布日期 | 2016.02.10 |
| 申请号 | CN201510097397.5 | 申请日期 | 2015.03.05 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 斋藤涉;筒井一生;岩井洋;角嶋邦之;若林整 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 张世俊 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于包含：第一半导体层；第二半导体层，设置在所述第一半导体层上，且带隙大于所述第一半导体层；源极电极及漏极电极，设置在所述第二半导体层上，且在所述源极电极及所述漏极电极中至少任一个的与所述第二半导体层相接一侧包含多个凸部；以及栅极电极，设置在所述源极电极与所述漏极电极之间。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||