半导体装置

摘要

本发明提供一种在高频噪声叠加时，能够抑制电压控制型半导体元件的栅极电位降低的半导体装置。该半导体装置具备电压控制型半导体元件21，其连接在向内燃机的点火装置提供电压的点火线圈13的初级侧；第一电阻R1以及第二电阻R2，其串联地插设在对电压控制型半导体元件21的栅极进行控制的输入信号的供给路径；电流控制电路，其控制流通至电压控制型半导体元件21的电流；第一旁路形成元件D1，在电压控制型半导体元件21导通时旁路该第二电阻R2；和第二旁路形成元件D2，在电压控制型半导体元件21关断时旁路第一电阻R1以及第二电阻R2，电流控制电路具备连接在第一电阻R1以及第二电阻R2之间并下拉栅极电压的有源元件23。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：电压控制型半导体元件，其连接在向内燃机的点火装置提供电压的点火线圈的初级侧；第一电阻以及第二电阻，其串联地插设在对所述电压控制型半导体元件的栅极进行控制的输入信号的供给路径；电流控制电路，其控制流通至所述电压控制型半导体元件的电流；第一旁路形成元件，其与所述第二电阻并联连接，在所述电压控制型半导体元件导通时旁路该第二电阻；和第二旁路形成元件，其与所述第一电阻以及所述第二电阻并联连接，在所述电压控制型半导体元件关断时旁路所述第一电阻以及所述第二电阻，其中，所述电流控制电路具备连接在所述第一电阻与所述第二电阻之间并下拉所述电压控制型半导体元件的栅极电压的有源元件。