包括场电极的半导体器件

摘要

本发明涉及包括场电极的半导体器件。半导体器件包括邻近于在半导体衬底（100）中的主体区（125）的栅电极（132）。半导体器件还包括在主表面（110）中的场板沟槽（140）中的场电极（132），场板沟槽（140）具有在平行于主表面（110）的第一方向上的延伸长度。该延伸长度小于在与平行于主表面的第一方向垂直的第二方向上的延伸长度的两倍。在第一方向上的延伸长度大于在第二方向上的延伸长度的一半。场电极（132）借助于场电介质层与邻近的漂移区段绝缘。场电极的场板材料具有在从10⁵到10^-1Ohm^.cm的范围内的电阻率。

主权项

一种半导体器件，包括：邻近于在半导体衬底（100）中的主体区（125）的栅电极（132）；以及在所述半导体衬底（100）的主表面中的场板沟槽（140）中的场电极（132），所述场板沟槽（140）具有在平行于所述主表面（100）的第一方向上的延伸长度，所述延伸长度小于在与平行于所述主表面的所述第一方向垂直的第二方向上的延伸长度的两倍，在所述第一方向上的所述延伸长度大于在所述第二方向上的所述延伸长度的一半，所述场电极（132）借助于场电介质层与邻近的漂移区段绝缘，所述场电极（132）的场板材料具有在从10⁵到10^‑1 Ohm^.cm的范围内的电阻率。