制作与双重图案化技术兼容的转折布局绕线的方法

摘要

本发明揭露一种制作与双重图案化技术兼容的转折布局绕线的方法，其中，揭示于本文的一示范方法涉及建立包含奇转折特征的整体目标图案，该奇转折特征有连接第一及第二直线部分的跨接区，其中，该跨接区在第一方向有大于横交于该第一方向的第二尺寸的第一尺寸，将该整体目标图案分解成第一子目标图案与第二子目标图案，其中，所述子目标图案各自包含一直线部分与该跨接区的第一部分，以及产生各自对应至该第一及该第二子目标图案的第一及第二组掩膜数据。

主权项

一种制造半导体装置的方法，包含下列步骤：建立由包含一奇转折特征的多个特征构成的一整体目标图案，该奇转折特征有连接第一及第二直线部分的一跨接区，该跨接区在平行于该第一及该第二直线部分中的一直线部分的长轴的第一方向有第一尺寸，该第一尺寸大于该第一及该第二直线部分各自在横交于该第一方向的第二方向的第二尺寸；将该整体目标图案分解成第一子目标图案与第二子目标图案，其中，该第一子目标图案包含该第一及该第二直线部分中之一直线部分与该跨接区的第一部分以及该第二子目标图案包含该第一及该第二直线部分中的另一直线部分与该跨接区的第二部分；产生对应至该第一子目标图案的第一组掩膜数据；以及产生对应至该第二子目标图案的第二组掩膜数据。