| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Halbleiterschichten bzw. von mit elementarem Selen und/oder Schwefel behandelten beschichteten Substraten, insbesondere flächigen Substraten, enthaltend mindestens eine leitende, halbleitende und/oder isolierende Schicht, bei dem wenigstens ein mit mindestens einer Metallschicht und/oder mit mindestens einer metallhaltigen Schicht versehenes Substrat, insbesondere ein Stapel von jeweils mit mindestens einer Metallschicht und/oder mit mindestens einer metallhaltigen Schicht versehenen Substraten, in eine Prozesskammer eingebracht und auf eine vorbestimmte Substrattemperatur erwärmt wird; elementarer Selen- und/oder Schwefeldampf von einer innerhalb und/oder außerhalb der Prozesskammer gelegenen Quelle, insbesondere mittels eines, insbesondere inerten, Trägergases, unter Grobvakuumbedingungen oder Umgebungsdruckbedingungen oder Überdruckbedingungen an der bzw. jeder Metallschicht und/oder metallhaltigen Schicht vorbeigeleitet wird, um diese mit Selen bzw. Schwefel gezielt chemisch zu reagieren; das Substrat mittels erzwungener Konvektion durch mindestens eine Gasfördereinrichtung erwärmt wird und/oder der elementare Selen-/oder Schwefeldampf mittels erzwungener Konvektion durch mindestens eine Gasfördereinrichtung im Prozessraum, insbesondere homogen, vermischt und an dem Substrat vorbeigeleitet wird. Die Erfindung betrifft ferner eine Prozessvorrichtung zur Durchfuhrung eines derartigen Verfahrens.</p> |
