发光二极管芯片

摘要

一种发光二极管芯片，包括半导体发光层，该半导体发光层包括N型半导体层、P型半导体层、位于P型半导体层及N型半导体层之间的主动层、电连接P型半导体层的P型电极以及电连接N型半导体层的N型电极，该发光二极管芯片包括主出光面及与该主出光面相对的接合面，还包括第一电极层及第二电极层，该第一电极层连接该N型电极并延伸至半导体发光层的接合面，该第二电极层连接该P型电极并延伸至半导体发光层的接合面，该第一电极层与P型半导体层及主动层保持隔开，第二电极层与N型半导体层及主动层保持隔开。

主权项

一种发光二极管芯片，包括半导体发光层，该半导体发光层包括N型半导体层、P型半导体层、位于P型半导体层及N型半导体层之间的主动层、电连接P型半导体层的P型电极以及电连接N型半导体层的N型电极，该发光二极管芯片包括主出光面及与该主出光面相对的接合面，其特征在于：还包括第一电极层及第二电极层，该第一电极层连接该N型电极并延伸至半导体发光层的接合面，该第二电极层连接该P型电极并延伸至半导体发光层的接合面，该第一电极层与P型半导体层及主动层保持隔开，第二电极层与N型半导体层及主动层保持隔开，还包括一绝缘层，该绝缘层包覆接合面，并沿着半导体发光层侧面向上延伸，直至包覆该半导体发光层除去N型电极和P型电极之外的所有表面，且所述绝缘层的厚度不大于该N型电极以及该P型电极的高度的一半，该绝缘层与附着于其表面的第一电极层的总厚度不大于该N型电极的厚度，该绝缘层与附着于其表面的第二电极层的总厚度不大于该P型电极的厚度。