发明名称 Halbleitervorrichtung und Verfahren, um sie zu testen
摘要 <p>Halbleitervorrichtung, die umfasst: einen Halbleiterchip (1) mit einer Steuerelektrode (5); und ein Belastungsdetektionselement (7), das auf einer Oberfläche des Halbleiterchips (1) angeordnet ist und ein Piezowiderstandselement (7a, 7b, 7-1a, 7-1b, 7-2a, 7-2b) umfasst, dessen Widerstand sich in Reaktion auf eine auf die Oberfläche des Halbleiterchips (1) aufgebrachte Belastung ändert, wobei das Belastungsdetektionselement (7) eine auf die Oberfläche aufgebrachte Belastung durch Detektieren einer Veränderung des Widerstandes des Piezowiderstandselements (7a, 7b, 7-1a, 7-1b, 7-2a, 7-2b) mittels Überwachung der Änderung des Widerstandswerts des Piezowiderstandselements detektiert, wobei die Halbleitervorrichtung ein Steuersignal, das an die Steuerelektrode (5) angelegt werden soll, in Reaktion auf die durch das Belastungsdetektionselement (7) detektierte Belastung steuert.</p>
申请公布号 DE102011087149(B4) 申请公布日期 2016.02.04
申请号 DE20111087149 申请日期 2011.11.25
申请人 MITSUBISHI ELECTRIC CORP. 发明人 NARAZAKI, ATSUSHI
分类号 H01L25/16;G01L1/18;G01R31/28;H01L23/544;H01L23/58;H01L29/739;H01L29/861;H01L41/113 主分类号 H01L25/16
代理机构 代理人
主权项
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