发明名称 1H−テトラゾール誘導体の製造方法
摘要 本発明は、一般式(II)のアジド化合物と一般式(III)のシアニド化合物とをフローリアクター内で反応させ、一般式(I)の化合物を製造する1H−テトラゾール誘導体の製造方法(Yはアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、置換基を有するシリル基、又は置換基を有するシリルアルキル基を表し、Zは−CO−、−SO2−、又は−CRaRb−(Ra及びRbはそれぞれ独立してH、アルキル基、又は無置換の若しくは置換基を有するアリール基を表す。)を、pは0又は1を、qは0又は1を、rは0又は1を(但し、pが0又はrが0の場合、qは1)、R1は、qが0の場合にアルキル基又は水素原子を、qが1の場合にアルキレン基を、R2は無置換の若しくは置換基を有するアリール基を表す。)を提供する。[化1]
申请公布号 JPWO2013187327(A1) 申请公布日期 2016.02.04
申请号 JP20140521306 申请日期 2013.06.07
申请人 日本曹達株式会社 发明人 宮崎 秀和
分类号 C07D257/04 主分类号 C07D257/04
代理机构 代理人
主权项
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