发明名称 一种金属离子掺杂的锂镍钴氧正极材料的制备方法
摘要 本发明涉及一种金属离子掺杂的锂镍钴氧正极材料的制备方法。具体地,包括以下步骤:(a)在络合剂和沉淀剂的存在下,将镍钴混合物进行共沉淀反应制备镍钴沉淀物前驱体;(b)将步骤(a)制得的前驱体进行焙烧,得到多孔镍钴氧化物;(c)在沉淀剂和金属M离子的化合物的存在下,在多孔镍钴氧化物上进行沉淀反应,得到包覆有M离子沉淀物的镍钴氧化物;(d)将步骤(c)制得包覆有金属M离子沉淀物的镍钴氧化物与锂化合物混合后进行焙烧,得到金属离子掺杂的锂镍钴氧正极材料。本发明的制法简单,成本低廉,易于规模化生产,并且所制得的锂镍钴氧正极材料具有优异的结构稳定性和电化学性能。
申请公布号 CN103606675B 申请公布日期 2016.02.03
申请号 CN201310659086.4 申请日期 2013.12.06
申请人 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 发明人 许晓雄;王进超;黄祯;尹景云;孟焕平
分类号 H01M4/525(2010.01)I 主分类号 H01M4/525(2010.01)I
代理机构 上海一平知识产权代理有限公司 31266 代理人 祝莲君;刘真真
主权项 一种金属离子掺杂的锂镍钴氧正极材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(a)提供一混合溶液,所述混合溶液包含镍化合物与钴化合物;(b)在络合剂和沉淀剂的存在下,将所述混合溶液进行共沉淀反应制备镍钴沉淀物前驱体;(c)将步骤(b)制得的前驱体进行焙烧,得到多孔镍钴氧化物Ni<sub>1‑x‑y</sub>Co<sub>x</sub>O<sub>1‑y</sub>,其中,0<x≤0.9,0<y≤0.2,培烧温度为700‑1200℃;(d)在沉淀剂和金属M离子的化合物的存在下,在多孔镍钴氧化物上进行沉淀反应,得到包覆有金属M离子沉淀物的镍钴氧化物,其中,镍钴氧化物与金属M离子的化合物的摩尔比为1:y;金属M选自:Al、Mn、Cr、Ga、Ti、Fe、Mg、Zr、V、Cu、Zn、Nb或其组合,0<y≤0.2;(e)将步骤(d)制得的包覆有金属M离子沉淀物的镍钴氧化物与锂化合物混合后,在氧气或空气气氛中进行焙烧,得到金属离子掺杂的锂镍钴氧正极材料Li<sub>z</sub>Ni<sub>1‑x‑y</sub>Co<sub>x</sub>M<sub>y</sub>O<sub>2</sub>,其中0.9<z≤1.10,0<x≤0.9,0<y≤0.2。
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