一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法

摘要

本发明所述的金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法，所述金属氧化物薄膜晶体管包括基板，及沿远离所述基板方向依次设置的栅极、栅极绝缘层、金属半导体氧化物层、源极/漏极导电层、层间绝缘层，所述层间绝缘层填充源极导电层和漏极导电层间的空隙形成沟道层；在所述层间绝缘层上表面形成阳极导电层及导电的上栅极；所述上栅极完全覆盖所述沟道层，且其材料的光反射率大于85%。上述结构通过设置光发射率大于85%的上栅极，可有效遮挡外界光线，防止外界光线对晶体管的性能造成影响，使得晶体管的阈值电压维持稳定的状态；并且由于其采用导电材料可以作为栅极使用，从而形成双栅结构，双栅结构可以使得晶体管的载流子迁移速度得到有效提高。

主权项

一种金属氧化物薄膜晶体管，包括基板(1)，及沿远离所述基板(1)方向依次设置的栅极(2)、栅极绝缘层(3)、金属半导体氧化物层(4)、源极/漏极导电层(5)、层间绝缘层(6)，所述层间绝缘层(6)填充源极导电层和漏极导电层间的空隙所对应的金属半导体氧化物层(4)形成沟道层；其特征在于：在所述层间绝缘层(6)上表面形成阳极导电层(7)及导电的上栅极(8)，所述阳极导电层(7)与所述上栅极(8)材料相同；所述上栅极(8)完全覆盖所述沟道层，且其材料的光反射率大于85％。