一种LDMOS器件的制造方法

摘要

本发明属于半导体技术，具体的说是涉及一种LDMOS器件的制造方法。本发明LDMOS器件制造方法的主要步骤为：在第二导电类型半导体衬底上表面生成第一导电类型半导体有源层；在第一导电类型半导体有源层上层键合剥离形成介质隔离层，所述介质隔离层上表面的第一导电类型半导体有源层形成辅助半导体层；在辅助半导体层中注入第二导电类型半导体杂质；刻蚀辅助半导体层两端至介质隔离层表面形成第一有源区窗口和第二有源区窗口；在第一有源区窗口制造体区和生成源极金属，在第二有源区窗口制造漏接触区和生成漏极金属。本发明的有益效果为，可以保证延伸栅为单晶硅材料，避免多晶栅对于延伸栅器件电学性能的影响。

主权项

一种LDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步：准备SOI材料：所述SOI材料包括衬底层(1)、介质埋层(2)和有源层(3)，其中衬底层(1)的导电类型不限，有源层(3)的导电类型为第一导电类型，所述介质埋层(2)位于衬底层(1)和有源层(3)之间；第二步：在上述SOI材料上采用离子注入工艺，在有源层(3)注入第二导电类型杂质，推结后形成第二导电类型体区(4)，之后在有源层(3)顶部热氧化形成介质隔离层(5)；第三步：在另一第二导电类型半导体材料A表面注入离子形成气泡层，所述注入离子为氢离子或氦离子，气泡层上表面保留有单晶硅半导体材料；第四步：对SOI材料和半导体材料A进行清洗及亲水处理，然后将SOI材料的介质隔离层(5)与第二导电类型半导体材料气泡层上表面键合；将键合片沿气泡层智能剥离后，进行退火和化学机械抛光，介质隔离层(5)上表面的单晶硅半导体材料形成单晶硅辅助半导体层(6)；第五步：采用刻蚀工艺，刻蚀辅助半导体层(6)两端至介质隔离层(5)表面形成第一有源区窗口和第二有源区窗口；第六步：采用离子注入工艺，在第二导电类型半导体体区(4)上层注入第一导电类型半导体杂质形成重掺杂源接触区(71)，在第二有源区窗口下方的第一导电类型半导体有源层(3)上层注入第一导电类型半导体杂质形成重掺杂漏接触区(73)，在靠近第二有源区窗口的辅助半导体层(6)中注入第一导电类型半导体杂质形成重掺杂场截止区(72)；所述重掺杂场截止区(72)与第二源区窗口之间的辅助半导体层(6)形成漏端接触区(83)；第七步：采用离子注入工艺，在第二导电类型半导体体区(4)中注入第二导电类型半导体杂质，在重掺杂源接触区(71)远离重掺杂漏接触区(73)的一侧形成体接触区(81)；在第二导电类型半导体体区(4)上方的辅助半导体层(6)中注入第二导电类型半导体杂质形成栅接触区(82)；第八步：在第一有源区窗口中制作源极金属，所述源极金属与栅接触区(82)之间具有钝化层介质(9)；在第二有源区窗口中制作漏极金属，所述漏极金属与漏端接触区(83)连接；在栅接触区(82)上表面形成栅极金属。