| 发明名称 | 阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明是关于一种阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置，属于显示技术领域。所述方法包括：在衬底基板上形成第一金属图案；在形成有第一金属图案的衬底基板上形成绝缘层；在形成有绝缘层的衬底基板的外围区域形成静电屏蔽层；在形成有静电屏蔽层的衬底基板的外围区域形成外围区域金属层；在外围区域金属层和静电屏蔽层上，通过构图工艺形成外围图案。本发明通过在外围区域形成静电屏蔽层，之后在外围区域的静电屏蔽层上形成金属层，解决了相关技术中外围区域的金属层在形成时可能和第一金属图案产生ESD而破坏阵列基板上的电路，产品良率较低的问题；达到了避免外围区域的金属层在形成时和第一金属图案产生ESD的效果，提高了产品良率。 | ||
| 申请公布号 | CN105304559A | 申请公布日期 | 2016.02.03 |
| 申请号 | CN201510646811.3 | 申请日期 | 2015.10.08 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 | 发明人 | 张鹏举;李鑫;丁金波;刘汉青;赵斌 |
| 分类号 | H01L21/77(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/77(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人 | 鞠永善 |
| 主权项 | 一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底基板上形成第一金属图案；在形成有所述第一金属图案的衬底基板上形成绝缘层；在形成有所述绝缘层的衬底基板的外围区域形成静电屏蔽层；在形成有所述静电屏蔽层的衬底基板的外围区域形成外围区域金属层；在所述外围区域金属层和所述静电屏蔽层上，通过构图工艺形成外围图案，所述外围图案的形状与所述外围区域的金属图案的形状相同。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||