| 发明名称 | 二元光掩模坯料、其制备、和二元光掩模的制备 | ||
| 摘要 | 二元光掩模坯料在透明衬底上具有遮光膜，所述遮光膜主要由过渡金属M和硅Si，或M、Si和N组成，并且具有3.0以上的光密度。所述遮光膜包括含M、Si和N的层，从而满足式B≤0.68×A+0.23，其中A是原子比M/Si且B是原子比N/Si，并且所述遮光膜具有47nm以下的厚度。所述二元光掩模坯料具有能够完全遮蔽曝光的光的薄遮光膜。 | ||
| 申请公布号 | CN105301890A | 申请公布日期 | 2016.02.03 |
| 申请号 | CN201510415157.5 | 申请日期 | 2015.07.15 |
| 申请人 | 信越化学工业株式会社 | 发明人 | 稻月判臣;高坂卓郎;西川和宏 |
| 分类号 | G03F1/46(2012.01)I;G03F1/38(2012.01)I;G03F1/68(2012.01)I | 主分类号 | G03F1/46(2012.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 杜丽利 |
| 主权项 | 二元光掩模坯料，其包括透明衬底和在所述透明衬底上的遮光膜，所述遮光膜主要由过渡金属M和硅Si，或过渡金属M、硅Si和氮N组成，由一个或多个层组成，并且具有3.0以上的光密度，其中所述遮光膜包括满足式(1)的过渡金属‑硅‑氮组成的层，并具有47nm以下的厚度：B≤0.68×A+0.23 (1)其中A为M比Si的原子比和B为N比Si的原子比。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||