发明名称 |
多芯片组件散热封装陶瓷复合基板的制备方法 |
摘要 |
本发明提出的一种多芯片组件散热封装陶瓷复合基板的制备方法,旨在提供一种解决LTCC基板材料导热系数低、多芯片组件散热困难的结构形式及实现该结构的工艺方法。本发明通过下述技术方案予以实现:首先分别在上、下两层LTCC生瓷片中制出器件安装腔体和液冷流道腔体,再在LTCC生瓷片的腔体内填充牺牲材料,然后将上、下两层生瓷片叠层在AlN底板上,通过温水等静压将LTCC生瓷片和AlN底板层压在一起后,放入烧结炉中进行共烧,形成带热沉和液冷流道的LTCC-AlN复合基板;再通过金丝键合将芯片与下层LTCC基板电路表面进行电气互联,完成多芯片组件在LTCC-AlN复合基板上的组装;最后将液冷管、封装盖板与LTCC焊接在一起,完成整个液冷流道的组装和多芯片组件的密封。 |
申请公布号 |
CN105304577A |
申请公布日期 |
2016.02.03 |
申请号 |
CN201510452002.9 |
申请日期 |
2015.07.28 |
申请人 |
中国电子科技集团公司第十研究所 |
发明人 |
林奈;谢义水 |
分类号 |
H01L23/12(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I;H05K7/20(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/12(2006.01)I |
代理机构 |
成飞(集团)公司专利中心 51121 |
代理人 |
郭纯武 |
主权项 |
一种多芯片组件散热封装陶瓷复合基板的制备方法,具有如下技术特征:首先分别在上、下两层低温共烧陶瓷LTCC生瓷片中制出器件安装腔体和液冷流道腔体,再在LTCC生瓷片的器件安装腔体以及液冷流道腔体内填充牺牲材料,然后将上、下两层生瓷片叠层在氮化铝AlN底板上;用温水等静压将LTCC生瓷片和AlN底板层压在一起后,放入烧结炉中进行共烧,形成带热沉和液冷流道的LTCC‑AlN复合基板;基板烧结完成后,通过共晶焊或导电银浆粘接将多芯片组件安装在AlN底板上,再通过金丝键合工艺将多芯片组件与LTCC基板腔体内台阶表面电路进行电气互联,最后通过焊接将液冷管、封装盖板与LTCC焊接在一起,完成多芯片组件在LTCC‑AlN复合基板上的组装。 |
地址 |
610036 四川省成都市金牛区茶店子东街48号 |