一种具有全温度范围补偿特性的基准源

摘要

本发明属于模拟集成电路技术领域，具体涉及一种具有全温度范围补偿特性的基准源。本发明的基准源，包括电流源产生电路、低温补偿电路、高温补偿电路和一阶基准源电路；其中，电流源产生电路产生的偏置电压分别连接到低温补偿电路的第一输入端和一阶基准源电路的第一输入端；低温补偿电路的第二输入端接负温电压，其输出端接一阶基准源电路的第二输入端；高温补偿电路的输入端接正温电压，其输出端接一阶基准源电路的第三输入端；一阶基准源电路的输出端输出基准电压。本发明的有益效果为，具有较小温度系数的基准电压；由于整体电路未使用BJT管和电阻，使得芯片面积大大减小，同时基准源的整体功耗降低。本发明尤其适用于基准源。

主权项

一种具有全温度范围补偿特性的基准源，包括电流源产生电路、低温补偿电路、高温补偿电路和一阶基准源电路；其中，电流源产生电路产生的偏置电压分别连接到低温补偿电路的第一输入端和一阶基准源电路的第一输入端；低温补偿电路的第二输入端接负温电压，其输出端接一阶基准源电路的第二输入端；高温补偿电路的输入端接正温电压，其输出端接一阶基准源电路的第三输入端；一阶基准源电路的输出端输出基准电压；所述一阶基准源电路由PMOS管M1、M2、M5、M6，NMOS管M3、M4构成；其中：M5的栅极与M6的栅极相连接偏置电压；M5的源极接电源电压；M6的源极接电源电压，其漏极接M1的源极和M2的源极；M4的栅极与漏极互连，其漏极接M5的漏极和M1的栅极，其源极接地电位；M1的漏极接地电位；M3的栅极接M4的栅极，其漏极接M2的栅极与漏极的互连点作为一阶基准源电路的输出端，其源极接地电位；所述一阶基准源电路的第二、第三输入端为同一输入端；PMOS管M1、M2的源极连接点作为一阶基准源电路的第二、第三输入端；所述的高温补偿电路由PMOS管M8、M9，NMOS管M7构成；其中，M8的源极接电源电压，其栅极与漏极互连，其漏极接M7的漏极；M7的栅极接正温电压，其源极接地电位；M9的源极接电源电压，其栅极接M8的栅极，其漏极作为高温补偿电路的输出端；所述的低温补偿电路由PMOS管M10、M11、M12、M15、M16，NMOS管M17、M18、M19、M20、M21构成；其中，M10的源极接电源电压，其栅极接偏置电压；M17的栅极与漏极互连，其漏极接M10的漏极，其源极接地电位；M18的栅极接M17的栅极，其源极接地电位；M11的源极接电源电压，其漏极接M18的漏极；M12的源极接电源电压，其栅极与漏极互连，其栅极接M11的栅极；M19的栅极接负温电压，其漏极接M12的漏极，其源极接地电位；M20的栅极与漏极互连，其漏极接M11的漏极和M18漏极的互连点，其源极接地电位；M21的栅极接M20的栅极，其源极接地电位；M15的源极接电源电压，其栅极与漏极互连，其漏极接M21的漏极；M16的源极接电源电压，其栅极接M15的栅极，其漏极作为低温补偿电路的输出端。