发明名称 |
半导体元件 |
摘要 |
实施方式的半导体元件,具备:在第1半导体层之上,沿着与第1半导体层的主面平行的方向,分别周期性地排列了第2半导体层和第3半导体层的周期的排列构造;设置在第3半导体层之上的第4半导体层;选择性地设置在第4半导体层的表面的第5半导体层;控制电极;设置在周期的排列构造的外侧的第1半导体层之上、且杂质浓度低于周期的排列构造所含的杂质浓度的第6半导体层;与第1半导体层电连接的第1主电极;与第4半导体层和第5半导体层连接的第2主电极。从与第1半导体层的主面垂直的方向看,第2半导体层和第3半导体层分别呈点状地配置,周期的排列构造的最外周的周期构造不同于最外周以外的周期的排列构造的周期构造。 |
申请公布号 |
CN102694029B |
申请公布日期 |
2016.02.03 |
申请号 |
CN201210061291.6 |
申请日期 |
2012.03.09 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
斋藤涉;小野升太郎;仲敏行;谷内俊治;渡边美穗;山下浩明 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
陈萍 |
主权项 |
一种半导体元件,其特征在于,具备:终端区域(1b),具有第1导电型的半导体层(15),第1导电型的第1半导体层(10),第1导电型的第2半导体层(11)和第2导电型的第3半导体层(12),位于上述第1半导体层之上,在第1方向即Y方向、以及与上述第1方向正交的第2方向即X方向上周期性地设置有多个,第2导电型的第4半导体层(13),设置在上述第3半导体层之上,第1导电型的第5半导体层(14),选择性地设置在上述第4半导体层,第1导电型的第6半导体层(11a),与上述半导体层(15)相邻,并使其周期长于上述第3半导体层(12)的周期地、在上述第2方向即X方向上周期性地设置有多个,控制电极(21),隔着绝缘膜(20)与上述第4半导体层连接,第1主电极(30),与上述第1半导体层电连接,及元件区域(1a),具有与上述第4半导体层和上述第5半导体层连接的第2主电极(31),被上述终端区域包围。 |
地址 |
日本东京都 |