半导体装置及该半导体装置的制造方法

摘要

本发明的目的之一在于即使在形成栅极绝缘层、源电极层及漏电极层之后形成氧化物半导体的情况下，也抑制元件特性恶化。在衬底上形成栅电极层，在栅电极层上形成栅极绝缘层，在栅极绝缘层上形成源电极层及漏电极层，对形成在衬底上的栅极绝缘层、源电极层及漏电极层的表面进行表面处理，在进行该表面处理后，在栅极绝缘层、源电极层及漏电极层上形成氧化物半导体层。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在衬底上形成栅电极层；在所述栅电极层上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成源电极层及漏电极层；在引入有惰性气体的反应室内对形成在所述衬底上的所述栅极绝缘层、所述源电极层及所述漏电极层的表面上进行等离子体处理；在进行所述等离子体处理后，在所述栅极绝缘层、所述源电极层及所述漏电极层上形成氧化物半导体层；以及在包括Cl₂或CF₄的气氛下对所述氧化物半导体层进行氧自由基处理，其中，通过在设置于所述反应室内的一对电极中的一方的电极上设置所述衬底，并对所述衬底施加偏压，来进行所述等离子体处理，其中，在所述栅极绝缘层上进行所述等离子体处理，使得所述栅极绝缘层被平坦化，其中，在所述源电极层和所述漏电极层上进行所述等离子体处理，使得所述源电极层和所述漏电极层的端部具有锥形形状和曲面形状，且其中，在所述栅极绝缘层上进行所述等离子体处理，使得所述栅极绝缘层具有锥形形状的凹部。