| 发明名称 | 硬掩膜层结构及低K介质层刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种硬掩膜层结构及低K介质层刻蚀方法，通过使用氮化亚铜(Cu<sub>3</sub>N)硬掩膜层，避免现有低K介质刻蚀技术中无机Ti<sub>x</sub>F<sub>y</sub>残留物的形成，且氮化亚铜(Cu<sub>3</sub>N)硬掩膜层易于移除，从而抑制了后续铜电镀工艺中的孔洞缺陷的形成，改善了器件电迁移和可靠性，提高了产品良率；进一步的，通过刻蚀后的氮气处理工艺在低K介质层的刻蚀内壁上形成阻挡层，缓和了低K介质层和氮化亚铜(Cu<sub>3</sub>N)硬掩膜层的湿法腐蚀选择比差异，避免低K介质层在湿法腐蚀移除氮化亚铜(Cu<sub>3</sub>N)硬掩膜层时受损，有效增大低K介质层的刻蚀后的工艺窗口。 | ||
| 申请公布号 | CN103377884B | 申请公布日期 | 2016.02.03 |
| 申请号 | CN201210121121.2 | 申请日期 | 2012.04.23 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 符雅丽;张海洋 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种低K介质层刻蚀方法，其特征在于，包括：提供一形成有低K介质层的半导体衬底；在所述低K介质层上形成TEOS硬掩膜层；在所述TEOS硬掩膜层上形成氮化亚铜硬掩膜层；以所述氮化亚铜硬掩膜层和TEOS硬掩膜层为硬掩膜，干法刻蚀所述低K介质层；采用氮气处理所述低K介质层，以在所述低K介质层暴露的表面上形成一层阻挡层；通过湿法腐蚀去除所述氮化亚铜硬掩膜层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||