| 发明名称 | 双极结型晶体管结构 | ||
| 摘要 | 提供一种双向双极结型晶体管(BJT)结构，包括：第一导电类型的基极区域，其中，所述基极区域构成所述结构的漂移区域；第一和第二集电极/发射极(CE)区域，所述第一和第二集电极/发射极区域中的每一个具有第二导电类型，并与所述基极区域的相对端相邻；其中，所述基极区域相对于所述集电极/发射极区域被轻掺杂；所述结构还包括：基极连接，连接到所述基极区域，其中所述基极连接在所述第一集电极/发射极区域之内或与所述第一集电极/发射极区域相邻。 | ||
| 申请公布号 | CN105308750A | 申请公布日期 | 2016.02.03 |
| 申请号 | CN201480019622.7 | 申请日期 | 2014.02.07 |
| 申请人 | 约翰·伍德 | 发明人 | 约翰·伍德 |
| 分类号 | H01L29/732(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/732(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 袁飞 |
| 主权项 | 一种双向双极结型晶体管BJT结构，包括：第一导电类型的基极区域，其中，所述基极区域构成所述结构的漂移区域；第一和第二集电极/发射极CE区域，所述第一和第二集电极/发射极区域中的每一个具有第二导电类型，并与所述基极区域的相对端相邻；其中，所述基极区域相对于所述集电极/发射极区域被轻掺杂；所述结构还包括：基极连接，连接到所述基极区域，其中所述基极连接在所述第一集电极/发射极区域之内或与所述第一集电极/发射极区域相邻。 | ||
| 地址 | 英国北安普敦郡 | ||