大等离子体处理室所用的射频回流路径

摘要

本发明提供一种方法及设备，其具有在等离子体处理系统内耦接基材支撑件至腔室壁的低阻抗射频回流路径。在一个实施例中，处理腔室包含腔室主体，其具有界定处理区域的腔室侧壁、底部及由该腔室侧壁支撑的盖组件，基材支撑件，设置在该腔室主体的处理区域内，遮蔽框架，设置在该基材支撑组件的边缘上，以及射频回流路径，具有耦接至该遮蔽框架的第一端及耦接至该腔室侧壁的第二端。

主权项

一种处理腔室，其包含：腔室主体，其具有界定处理区域的腔室侧壁、底部及由所述腔室侧壁所支撑的盖组件；基材支撑组件，设置在所述腔室主体的所述处理区域内；延伸块，连接至所述基材支撑组件的底面并从所述基材支撑组件的外缘往外延伸；接地框架，设置在所述处理腔室内，所述接地框架的尺寸经订制以在所述基材支撑组件位于上升位置时接合所述延伸块；以及射频回流路径，具有耦接至所述接地框架的第一端及耦接至所述腔室侧壁的第二端，其中所述射频回流路径的所述第二端夹在第一绝缘体中，并且电容性地耦接至所述腔室侧壁。