在等离子式离子注入中使用改良式遮蔽环的技术

摘要

揭示一种在等离子式离子注入中使用改良式遮蔽环的技术。在根据本发明一特定例示实施例中，此技术可实现为等离子式离子注入的装置及方法，例如，射频等离子掺杂(RF-PLAD)。此装置及方法可包括：遮蔽环(244)，其与目标晶片(120)定位于同一平面上并环绕目标晶片(120)的周围，其中遮蔽环包括用于定义出至少一个孔(246)的面积的孔定义装置；法拉第杯(140)，其定位于至少一个孔的下方；以及剂量计数电子设备(142)，其连接法拉第杯，以计算离子剂量率。上述至少一个孔的形状可包括为圆形、弧形、缝状、环状、矩形、三角形以及或椭圆形中的至少一种。孔定义装置可包括硅、碳化硅、碳以及或石墨中的至少一种。

主权项

1、一种等离子式离子注入设备，所述设备包括：遮蔽环，与目标晶片定位于同一平面上并环绕所述目标晶片的周围，其中，所述遮蔽环包括孔定义装置，以定义出至少一个孔的面积；法拉第杯，定位于所述至少一个孔的下方；以及剂量计数电子设备，连接所述法拉第杯，以计算离子剂量率。