碳化硅半导体器件

摘要

本发明涉及碳化硅半导体器件。提供了一种具有改善的开关特性的碳化硅半导体器件。MOSFET包括碳化硅层、栅极绝缘膜、栅电极和源电极。碳化硅层包括漂移区、体区和接触区。在主表面中，源电极与接触区相接触。MOSFET被配置成使得源电极相对于接触区的接触电阻不小于1×10^-4Ωcm²且不大于1×10^-1Ωcm²。而且，当在主表面的平面图中看时，接触区的面积不小于体区的面积的10％。

主权项

一种碳化硅半导体器件，包括：碳化硅层，所述碳化硅层包括主表面，所述碳化硅层包括：第一杂质区，所述第一杂质区具有第一导电类型，第二杂质区，所述第二杂质区与所述第一杂质区相接触，并且具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型，以及第三杂质区，所述第三杂质区与所述第二杂质区相接触，构成所述主表面的一部分，当在所述主表面的平面图中看时被形成在所述第二杂质区中，并且具有所述第二导电类型；栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜形成在所述第二杂质区上；栅电极，所述栅电极形成在所述栅极绝缘膜上；以及电极层，所述电极层在所述主表面中与所述第三杂质区相接触，所述碳化硅半导体器件被配置成使得所述电极层相对于所述第三杂质区的接触电阻不小于1×10^‑4Ωcm²且不大于1×10^‑1Ωcm²，当在所述主表面的平面图中看时，所述第三杂质区的面积不小于所述第二杂质区的面积的10％。