一种循环氢气再纯化的方法及装置

摘要

本发明提供的一种循环氢气再纯化的方法及装置，涉及多晶硅生产领域。将循环氢气通过吸附除杂，使氢气中硼和磷元素杂质含量由10 ppba降至0.1 ppba以下的一种方法及装置。具体是将循环氢气首先通入氢气冷却器进行冷却，将氢气冷却至0～30℃之间，进入一级吸附反应柱，吸附去除含硼元素为主的杂质；经过一级吸附后的循环氢气再进入氢气深冷器，将氢气冷却至-88～-68℃之间，进入二级吸附反应柱，吸附去除含磷元素为主的杂质。本发明实现循环氢气的吸附反应去除硼、磷元素等有害杂质，大幅降低了氢气中的含硼、磷元素杂质的含量，提升了循环氢气的品质，使改良西门子法稳产电子级多晶硅成为可能，突破了国外的技术封锁。该工艺流程简单，操作简便，除杂效果明显。

主权项

一种循环氢气再纯化的方法，其特征在于：该循环氢气来自还原尾气干法回收工序中的回收氢气，循环氢气首先通入氢气冷却器（1）进行冷却，将氢气冷却至0～30℃，优选值为20℃，将经过冷却的循环氢气通入一级吸附反应柱（2），去除含硼元素为主的杂质；经过一级吸附反应后的循环氢气通入氢气深冷器（3），将氢气冷却至‑88～‑68 ℃，优选值为‑80℃，经过冷却后的循环氢气进入二级吸附反应柱（4），除去含磷元素为主的杂质，吸附温度为‑88～‑68 ℃。