发明名称 |
开关电路、采样保持电路以及固体摄像装置 |
摘要 |
开关电路具有:半导体层,其包括源极区域、漏极区域以及配置于所述源极区域和所述漏极区域之间的通道区域;栅极电极,其与所述通道区域对置配置;源极布线,其由导电率高于所述半导体层的第1材料形成,与所述源极区域相连接;漏极布线,其由导电率高于所述半导体层的第2材料形成,与所述漏极区域相连接;以及去耦布线,其由导电率高于所述半导体层的第3材料形成,配置于所述源极布线和所述漏极布线之间。根据所述栅极电极的电压,在第1期间内所述源极区域和所述漏极区域处于导通状态,在与所述第1期间不同的第2期间内,所述源极区域和所述漏极区域处于非导通状态。所述源极布线或所述漏极布线的电压在所述第2期间内变化。所述去耦布线的电压在所述第2期间内是恒定的。 |
申请公布号 |
CN105308954A |
申请公布日期 |
2016.02.03 |
申请号 |
CN201480032123.1 |
申请日期 |
2014.08.07 |
申请人 |
奥林巴斯株式会社 |
发明人 |
山崎晋;萩原义雄 |
分类号 |
H04N5/374(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I;H03K17/687(2006.01)I |
主分类号 |
H04N5/374(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
李辉;于靖帅 |
主权项 |
一种开关电路,其特征在于,该开关电路具有:半导体层,其包括源极区域、漏极区域以及配置于所述源极区域和所述漏极区域之间的通道区域;栅极电极,其与所述通道区域对置配置;源极布线,其由导电率高于所述半导体层的第1材料形成,与所述源极区域相连接;漏极布线,其由导电率高于所述半导体层的第2材料形成,与所述漏极区域相连接;以及去耦布线,其由导电率高于所述半导体层的第3材料形成,配置于所述源极布线和所述漏极布线之间,根据所述栅极电极的电压,在第1期间内所述源极区域和所述漏极区域处于导通状态,在与所述第1期间不同的第2期间内,所述源极区域和所述漏极区域处于非导通状态,所述源极布线或所述漏极布线的电压在所述第2期间内变化,所述去耦布线的电压在所述第2期间内是恒定的。 |
地址 |
日本东京都 |