发明名称 |
发光器件和发光器件封装 |
摘要 |
本发明公开了发光器件和发光器件封装。发光器件包括:发光结构,该发光结构包括第一导电半导体层、在第一导电半导体层上的有源层、以及在有源层上的第二导电半导体层;粘附层,该粘附层接触第一导电半导体层的顶表面;第一电极,该第一电极接触第一导电半导体的顶表面和粘附层的顶表面;以及第二电极,该第二电极接触第二导电半导体层,其中接触第一电极的粘附层与第二电极隔开。 |
申请公布号 |
CN102194958B |
申请公布日期 |
2016.02.03 |
申请号 |
CN201110040319.3 |
申请日期 |
2011.02.16 |
申请人 |
LG伊诺特有限公司 |
发明人 |
丁焕熙;李尚烈;文智炯;宋俊午;崔光基 |
分类号 |
H01L33/44(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I;H01L33/22(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/44(2010.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
夏凯;谢丽娜 |
主权项 |
一种发光器件,包括:发光结构,所述发光结构包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层上的有源层、以及所述有源层上的第二导电半导体层,其中所述发光结构具有其中暴露所述第一导电半导体层的顶表面的区域;透射电极层,所述透射电极层在所述第二导电半导体层上;粘附层,所述粘附层接触所述第一导电半导体层;第一电极,所述第一电极在所述区域中接触所述粘附层和所述第一导电半导体层上;以及第二电极,所述第二电极接触所述第二导电半导体层,其中所述第二电极的第一部分通过所述透射电极层接触所述第二导电半导体层的至少一部分,并且所述第二电极的第二部分接触所述透射电极层的至少一部分,其中所述粘附层被布置在所述第一导电半导体层的侧表面和顶表面、所述有源层的侧表面、以及所述第二导电半导体层的顶表面和侧表面上,以及其中所述第二电极的第一部分被所述透射电极层包围。 |
地址 |
韩国首尔 |