| 发明名称 | 研磨片碱腐蚀前清洗工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种研磨片碱腐蚀前清洗工艺，其特征在于，包括如下步骤：A、用水清除研磨后的晶片表面的化学液；B、清除晶片表面的金属离子和有机物；C、用水清除晶片表面的化学液；D、放置于清洗剂溶液中超声清洗三次以上，重量浓度为1-4％；E、用水清除晶片表面的化学液；F、放置于盐酸溶液中清洗，去除研磨后的晶片表面的研磨悬浮液和铁离子。本发明中的研磨片碱腐蚀前清洗工艺，降低碱腐蚀P型<111>晶片不良率至0.5％以下，并且良率稳定。 | ||
| 申请公布号 | CN105304464A | 申请公布日期 | 2016.02.03 |
| 申请号 | CN201410370026.5 | 申请日期 | 2014.07.30 |
| 申请人 | 上海合晶硅材料有限公司 | 发明人 | 苟钦泽;黄春峰;徐新华 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海脱颖律师事务所 31259 | 代理人 | 李强 |
| 主权项 | 研磨片碱腐蚀前清洗工艺，其特征在于，包括如下步骤：A、用水清除研磨后的晶片表面的化学液；B、清除晶片表面的金属离子和有机物；C、用水清除晶片表面的化学液；D、放置于清洗剂溶液中超声清洗三次以上，重量浓度为1‑4％；E、用水清除晶片表面的化学液；F、放置于盐酸溶液中清洗，去除研磨后的晶片表面的研磨悬浮液和铁离子。 | ||
| 地址 | 201617 上海市松江区贵南路500号 | ||