三维存储装置

摘要

本发明公开了一种三维存储装置。三维存储装置包括存储元件区、第一阶梯结构、第二阶梯结构、第一导电条以及第二导电条。存储元件区包括第一叠层结构以及第二叠层结构。第一叠层结构包括第一半导体条，第二叠层结构包括第二半导体条。第一阶梯结构位于存储元件区的一侧，第一半导体条的一端连接第一阶梯结构。第二阶梯结构位于存储元件区的对侧，第二半导体条的一端连接第二阶梯结构。第一导电条透过第一阶梯结构耦接至第一半导体条。第二导电条透过第二阶梯结构耦接至第二半导体条。

主权项

一种三维存储装置，包括：一存储元件区，包括：一第一叠层结构，包括一第一半导体条；以及一第二叠层结构，包括一第二半导体条，该第二叠层结构与该第一叠层结构平行且相邻；一第一阶梯结构，位于该存储元件区外的一侧，该第一半导体条的一端连接该第一阶梯结构；一第二阶梯结构，位于该存储元件区外的对侧，该第二半导体条的一端连接该第二阶梯结构；一第一导电条，透过该第一阶梯结构耦接至该第一半导体条；以及一第二导电条，透过该第二阶梯结构耦接至该第二半导体条。