发明名称 一种偏置电压显性相关的失配模型及其提取方法
摘要 本发明公开了一种偏置电压显性相关的失配模型及其提取方法,该方法包括如下步骤:步骤一,设计失配模型的器件结构;步骤二,测量与器件尺寸、工作电压相关的失配模型数据;步骤三,建立及修改尺寸相关的器件失配模型;步骤四,对尺寸相关的失配模型进行曲线拟合;步骤五,判断仿真结果与数据拟合是否OK,如否,则返回步骤三,如是,则进入步骤六;步骤六,建立及修改偏置电压相关的器件失配模型;步骤七,对电压相关的失配模型进行曲线拟合;步骤八,判断仿真结果与数据拟合是否OK,如否,则返回步骤六,如是,则进入步骤九;步骤九,进行失配模型验证;本发明能够反映器件在不同电压下的失配模型特性,适用性更广。
申请公布号 CN105302943A 申请公布日期 2016.02.03
申请号 CN201510624152.3 申请日期 2015.09.27
申请人 上海华力微电子有限公司 发明人 张瑜;商干兵;俞柳江;吴俊徐
分类号 G06F17/50(2006.01)I 主分类号 G06F17/50(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 智云
主权项 一种偏置电压显性相关的失配模型,其特征在于:在原有失配模型中加入与偏置电压相关的函数,通过调整与偏置电压显性相关的失配模型参数,使得该失配模型可以准确表征与器件尺寸、实际偏置电压的关系。
地址 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号