发明名称 |
一种偏置电压显性相关的失配模型及其提取方法 |
摘要 |
本发明公开了一种偏置电压显性相关的失配模型及其提取方法,该方法包括如下步骤:步骤一,设计失配模型的器件结构;步骤二,测量与器件尺寸、工作电压相关的失配模型数据;步骤三,建立及修改尺寸相关的器件失配模型;步骤四,对尺寸相关的失配模型进行曲线拟合;步骤五,判断仿真结果与数据拟合是否OK,如否,则返回步骤三,如是,则进入步骤六;步骤六,建立及修改偏置电压相关的器件失配模型;步骤七,对电压相关的失配模型进行曲线拟合;步骤八,判断仿真结果与数据拟合是否OK,如否,则返回步骤六,如是,则进入步骤九;步骤九,进行失配模型验证;本发明能够反映器件在不同电压下的失配模型特性,适用性更广。 |
申请公布号 |
CN105302943A |
申请公布日期 |
2016.02.03 |
申请号 |
CN201510624152.3 |
申请日期 |
2015.09.27 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
张瑜;商干兵;俞柳江;吴俊徐 |
分类号 |
G06F17/50(2006.01)I |
主分类号 |
G06F17/50(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
智云 |
主权项 |
一种偏置电压显性相关的失配模型,其特征在于:在原有失配模型中加入与偏置电压相关的函数,通过调整与偏置电压显性相关的失配模型参数,使得该失配模型可以准确表征与器件尺寸、实际偏置电压的关系。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 |