发明名称 一种MOS管
摘要 本实用新型涉及一种半导体器件技术领域,尤其涉及一种MOS管。通过在MOS管的所述底板底部设置一镀锡层。将壳体设置为深沟槽壳体,将引脚设置为内置引脚和延伸引脚,内置引脚设置于壳体的空腔内,延伸引脚用以与外部连接装置连接,深沟槽壳体内部允许内置引脚存在有预制的高度,将内置引脚沿深沟槽壳体贴附设置,一方面增加了内置引脚的长度,内置引脚的长度通常为深沟槽壳体的深度,另一方便也增强了延伸引脚的长度,延伸引脚的长度通常为深沟槽壳体的深度,在不增加MOS管与PCB板之间的间距的状态下,充分利用MOS管本身的厚度,最大化设置引脚的长度,提高其散热效率。
申请公布号 CN205016532U 申请公布日期 2016.02.03
申请号 CN201520688508.5 申请日期 2015.09.02
申请人 深圳市茂钿科技有限公司 发明人 李锋华
分类号 H01L29/78(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I 主分类号 H01L29/78(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种MOS管,其特征在于:包括半导体器件;设置有复数个引脚;壳体,所述壳体形成一用以容纳所述半导体器件的空腔,所述空腔预制有用以穿过所述引脚的槽口;其中,所述引脚的横截面为N边形,N≥5,且N<100。
地址 518100 广东省深圳市南山区科技园科园路1002号A8音乐大厦1305、1306室