发明名称 |
一种MOS管 |
摘要 |
本实用新型涉及一种半导体器件技术领域,尤其涉及一种MOS管。通过在MOS管的所述底板底部设置一镀锡层。将壳体设置为深沟槽壳体,将引脚设置为内置引脚和延伸引脚,内置引脚设置于壳体的空腔内,延伸引脚用以与外部连接装置连接,深沟槽壳体内部允许内置引脚存在有预制的高度,将内置引脚沿深沟槽壳体贴附设置,一方面增加了内置引脚的长度,内置引脚的长度通常为深沟槽壳体的深度,另一方便也增强了延伸引脚的长度,延伸引脚的长度通常为深沟槽壳体的深度,在不增加MOS管与PCB板之间的间距的状态下,充分利用MOS管本身的厚度,最大化设置引脚的长度,提高其散热效率。 |
申请公布号 |
CN205016532U |
申请公布日期 |
2016.02.03 |
申请号 |
CN201520688508.5 |
申请日期 |
2015.09.02 |
申请人 |
深圳市茂钿科技有限公司 |
发明人 |
李锋华 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
一种MOS管,其特征在于:包括半导体器件;设置有复数个引脚;壳体,所述壳体形成一用以容纳所述半导体器件的空腔,所述空腔预制有用以穿过所述引脚的槽口;其中,所述引脚的横截面为N边形,N≥5,且N<100。 |
地址 |
518100 广东省深圳市南山区科技园科园路1002号A8音乐大厦1305、1306室 |