dispositivo semicondutor e método de fabricação do mesmo

摘要

dispositivo semicondutor e método de fabricação do mesmo.tanto um hemt quanto um sbd são formados em um substrato semicondutor de nitreto. o substrato semicondutor de nitreto compreende uma região de estrutura de porta de hemt e uma região de eletrodo de ânodo. uma primeira estrutura laminada é formada pelo menos na região de estrutura de porta de hemt e inclui da primeira à terceira camada semicondutora de nitreto. uma segunda estrutura laminada é formada pelo menos em uma parte da região de eletrodo de ânodo e inclui a primeira e a segunda camada semicondutora de nitreto. o eletrodo de ânodo contata a superfície frontal da segunda camada semicondutora de nitreto. pelo menos em uma região de contato onde a superfície frontal da segunda camada semicondutora de nitreto contata o eletrodo de ânodo, a superfície frontal da segunda camada semicondutora de nitreto é finalizada para ser uma superfície pela qual a segunda camada semicondutora de nitreto forma uma junção de schottky com o eletrodo de ânodo.