| 发明名称 |
电路基板用氮化铝基板及其制造方法 |
| 摘要 |
明揭示一种电路基板用氮化铝基板，系在具有平均粒径为2~5μm的氮化铝结晶粒子且热导率为170W/mK以上的电路基板用氮化铝基板中，不含树枝状晶界相且400℃下的绝缘破坏电压为30kV/mm以上。又，提供一种电路基板用氮化铝基板之制造方法，其具有将含氮化铝粉末的原料在压力150Pa以下加热至1500℃，然后在非氧化性气体中作为压力0.4MPa以上的加压气体环境而昇温至1700~1900℃并加以保持后，以10℃/分钟以下的冷却速度冷却至1600℃之步骤。 |
| 申请公布号 |
TWI519503 |
申请公布日期 |
2016.02.01 |
| 申请号 |
TW100119734 |
申请日期 |
2011.06.07 |
| 申请人 |
电化股份有限公司 |
发明人 |
原田佑作;寺野克典;后藤猛 |
| 分类号 |
C04B35/581(2006.01);C04B35/645(2006.01);H01L23/15(2006.01) |
主分类号 |
C04B35/581(2006.01) |
| 代理机构 |
|
代理人 |
丁国隆;黄政诚 |
| 主权项 |
一种电路基板用氮化铝基板，其在具有平均粒径为2~5μm的氮化铝结晶粒子且热导率为170W/mK以上的电路基板用氮化铝基板中，不含树枝状晶界相(grain boundary phase)；晶界相为不连续地分散的非树枝状晶界相；且400℃下的绝缘破坏电压为30kV/mm以上。
|
| 地址 |
日本 |
