带有多个外延层的横向PNP双极电晶体

摘要

明涉及一种带有多个外延层的横向PNP双极电晶体，具体是指利用相同导电类型的多外延层，装备带有深发射极和深集电极区的横向双极电晶体。无需使用沟槽，就能制备深发射极和深集电极区。在每个外延层中，制备垂直对准的扩散区，使扩散区在退火后，合并到连续的扩散区中，作为发射极或集电极或隔离结构。在另一个实施例中，利用沟槽发射极和沟槽集电极区，制备横向沟槽PNP双极电晶体。在另一个实施例中，制备合并了LDMOS电晶体的横向PNP双极电晶体，以获得高性能。

主权项

一种横向双极电晶体，其特征在于，包括：一个第一导电类型的半导体衬底；一个第一导电类型的第一掩埋层以及一个第二导电类型的第二掩埋层，都形成在该半导体衬底上，第二导电类型与第一导电类型相反；一个或多个第二导电类型的外延层，连续形成在该半导体衬底上，每个外延层都包括形成在其中的两个或多个第一导电类型的第一掩埋层，位于第二掩埋层的上方且与该第二掩埋层隔离开，形成在其中一个外延层中的掩埋层与形成在邻近外延层中的掩埋层相互垂直对准；以及一第二导电类型的最末外延层，形成在一个或多个外延层中的最后一层上，该最末外延层具有形成在其中的至少一个第一导电类型的第一扩散区和第一导电类型的第二扩散区，每个第一扩散区和第二扩散区与形成在一个或多个外延层中的最后一层中的各自对应的掩埋层相互垂直对准；其中第一扩散区与形成在一个或多个外延层中的掩埋层中之第一组掩埋层相互垂直对准以构成第一导电类型的一连续扩散区，并且作为一发射极区，第二扩散区与形成在一个或多个外延层中的掩埋层中之第二组掩埋层相互垂直对准以构成第一导电类型的一连续扩散区，并且作为一集电极区，一基极区形成在该发射极区和该集电极区之间的一个或多个外延层以及最末外延层中。