| 主权项 |
一种具有结晶矽薄膜之基板，系包含：一基板，其系一高分子基板；以及一结晶矽薄膜，其系形成于该基板之至少一表面上，其中，该结晶矽薄膜的结晶度系高于90%，且其系包含复数个柱状(Column structure)矽晶体，其中，该具有结晶矽薄膜之基板系以下列步骤所制得：(A)提供该基板、一矽源以及一氢气，且该矽源系SiCl4、Si2Cl6或其组合；(B)置放该基板于小于10-2torr之一减压环境下，以该氢气作为一载流气体引导该矽源进入该减压环境中，其中该载流气体之流量为10-20sccm；(C)额外通入50~600sccm之该载流气体，并于250~2000W微波功率以及1~10torr工作压力条件下进行一微波电浆辅助化学气相沉积法(microwave plasma enhanced chemical vapor deposition,MWPECVD)；以及(D)沉积该结晶矽薄膜于该基板之至少一表面上，以形成该具有结晶矽薄膜之基板。
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