半导体装置

摘要

明之实施形态提供一种可抑制电流及电压之振荡之半导体装置。

主权项

一种半导体装置，其包含：半导体基板，其包含第1面、及与上述第1面对向之第2面；第1 p型半导体区域，其选择性地设置于上述半导体基板之上述第1面侧；第1 n型半导体区域，其设置于上述半导体基板之上述第2面侧；第2 n型半导体区域，其设置于上述第1 p型半导体区域与上述第1 n型半导体区域之间之上述半导体基板中，且n型杂质浓度较上述第1 n型半导体区域低；第3 n型半导体区域，其设置于上述第1 p型半导体区域与上述第2 n型半导体区域之间之上述半导体基板中，且n型杂质浓度较上述第2 n型半导体区域低；第4 n型半导体区域，其设置于上述第1 n型半导体区域与上述第2 n型半导体区域之间之上述半导体基板中，n型杂质浓度较上述第2 n型半导体区域低，且载子寿命较上述第3 n型半导体区域长；阳极电极，其电性连接于上述第1 p型半导体区域；及阴极电极，其电性连接于上述第1 n型半导体区域。