半导体装置及其制造方法

摘要

明之目的在于提供包含具有稳定电特征的薄膜电晶体之高度可靠的半导体装置。在包含以氧化物半导体膜使用于包含通道形成区的半导体层之薄膜电晶体的半导体装置之制造方法中，执行热处理(用于脱水或脱氢)以便纯化氧化物半导体膜及降低例如湿气之杂质。除了存在于氧化物半导体膜中例如湿气的杂质之外，热处理还可以降低存在于闸极绝缘层中例如湿气之杂质以及存在于氧化物半导体膜与设于氧化物半导体膜之上及之下且与氧化物半导体膜相接触的膜之间的介面中例如湿气的杂质。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包含下述步骤：形成氧化物半导体层；在惰性气体氛围下对该氧化物半导体层执行第一加热处理于等于或高于400℃，藉此，该氧化物半导体层的载子浓度系大于1×1018/cm3；形成源极电极和汲极电极于该氧化物半导体层中的第一区域之上并且与该氧化物半导体层中的该第一区域相接触；以及形成氧化物绝缘层于该氧化物半导体层中的第二区域之上并且与该氧化物半导体层中的该第二区域相接触；以及对该氧化物绝缘层执行第二加热处理于低于400℃，其中，该第一区域的载子浓度系大于1×1018/cm3，并且其中，该第二区域的载子浓度系小于1×1018/cm3。