积体电路装置及其制造方法

摘要

积体电路装置包含一电阻式随机存取记忆体(resistive random access memory,RRAM)单元或一金属-绝缘体-金属电容单元，其具有一介电层、一上导电层以及一下导电层。介电层包含邻接介电层之一边缘的一周边区域，及被周边区域所围绕的一区域。上导电层邻接且位于介电层之上。下导电层邻接且位于区域内的介电层之下，但未邻接单元的周边区域的导电层。可藉由介于下导电层及仅在周边区域中的介电层之间的一额外的介电层，或藉由截断缺乏周边区域的下电极层，以避免邻接的状况。位于介电层的边缘的损坏或污染不会造成漏电流。

主权项

一种积体电路装置，包含：一金属-绝缘体-金属结构包含一第一介电层介于一上导电层及一下导电层之间；其中该第一介电层包含：一周围区域邻接该第一介电层的一边缘，其中该第一介电层系由蚀刻法所截断；以及一中央区域系由该周围区域所围绕；以及该上导电层紧靠且位于该第一介电层的该中央区域之上；该下导电层紧靠且位于该第一介电层之该中央区域之下；以及其中该下导电层不紧靠该第一介电层的该周围区域。