氮化物半导体结构之制造方法

摘要

氮化物半导体结构之制造方法，其系于形成第3氮化物半导体基底层之步骤中，将第3氮化物半导体基底层之成长时每一单位时间供给之V族原料气体之莫耳量与每一单位时间供给之III族原料气体之莫耳量之比即V/III比设为700以下，将第3氮化物半导体基底层之成长时之压力设为26.6 kPa以上，将第3氮化物半导体基底层之成长速度设为2.5 μm/小时以上。

主权项

一种氮化物半导体结构之制造方法，其包括如下之步骤：准备于表面包括凹部与设置在上述凹部之间的凸部之包含三方晶刚玉或六方晶之结晶的基板；于上述基板上形成氮化物半导体中间层；于上述氮化物半导体中间层上，形成第1氮化物半导体基底层；于上述第1氮化物半导体基底层上，形成第2氮化物半导体基底层；以及藉由MOCVD法而于上述第2氮化物半导体基底层上形成第3氮化物半导体基底层；上述第1氮化物半导体基底层之表面系包括第1斜刻面、及第1平坦区域，上述第1氮化物半导体基底层之上述表面中之上述第1斜刻面之面积比率小于上述第1平坦区域之面积比率，上述第2氮化物半导体基底层系包括包围上述凸部之第2斜刻面，上述第3氮化物半导体基底层之下表面系接触于上述第2斜刻面，且于形成上述第3氮化物半导体基底层之步骤中，将上述第3氮化物半导体基底层之成长时每一单位时间供给之V族原料气体之莫耳量与每一单位时间供给之III族原料气体之莫耳量之比，即V/III比设为700以下，将上述第3氮化物半导体基底层之成长时之压力设为26.6kPa以
上，将上述第3氮化物半导体基底层之成长速度设为2.5μm/小时以上。