发明名称 |
高温钨金属化制程 |
摘要 |
明实施例提供一种沉积含钨材料的改良制程。在一实施例中,在基板上形成含钨材料的方法包含在设置在基板上的介电层上形成含氮化钛的黏着层,在该黏着层上形成氮化钨中间层,其中该氮化钨中间层包含氮化钨与碳。该方法更包含在热退火制程期间(例如,温度从约700℃至低于1000℃)利用热分解从该氮化钨中间层形成钨阻障层(例如,钨或钨-碳材料)。接着,该方法包含选择性地在该钨阻障层上形成成核层,在浸洗制程期间选择性地将该钨阻障层及/或该成核层暴露在还原剂中,以及在该钨阻障层及/或该成核层上或上方形成钨块层。
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申请公布号 |
TWI520268 |
申请公布日期 |
2016.02.01 |
申请号 |
TW101139836 |
申请日期 |
2012.10.26 |
申请人 |
应用材料股份有限公司 |
发明人 |
克林乔许华;那拉辛哈慕拉里K;刘菁菁;李相协;吴凯;杰拉多斯艾夫杰尼诺斯V |
分类号 |
H01L21/768(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财;李世章 |
主权项 |
一种在一基板上形成一含钨材料的方法,该方法包含以下步骤:在设置在一基板上的一介电层上形成一黏着层;在该黏着层上形成一氮化钨中间层,其中该氮化钨中间层含有氮化钨与碳;在一热退火制程期间从该氮化钨中间层形成一钨阻障层,其中该钨阻障层包含藉由该氮化钨中间层的热分解形成的金属钨或钨-碳材料:在该钨阻障层上形成一成核层;以及在该成核层上形成一钨块层。
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地址 |
美国 |