发明名称 |
基板处理装置、基板处理装置之非暂时性电脑可读取记录媒体 |
摘要 |
明之具体例系有关于用以在原子层沉积制程期间在基板上沉积材料之装置及方法。在一具体例中,一种基板处理装置包括:一反应室盖总成,其包括一第一加热构件;一承载盘,其定位成靠近该反应室盖总成,其中该承载盘包括一用以加热基板之第二加热构成;一制程室,其至少容纳该反应室盖总成及该承载盘;以及一控制器,其配置成用以控制该第一加热构件,以便抑制该第二加热构件所产生之热能从该承载盘传导至该反应室盖总成。
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申请公布号 |
TW201604984 |
申请公布日期 |
2016.02.01 |
申请号 |
TW103130733 |
申请日期 |
2014.09.05 |
申请人 |
日立国际电气股份有限公司 |
发明人 |
田边光朗;柳泽爱彦;汤浅和宏;境正宪;坪田康寿 |
分类号 |
H01L21/67(2006.01);H01L23/34(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/67(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
赖经臣;宿希成 |
主权项 |
一种基板处理装置,其包括:一反应室盖总成,其包括一第一加热构件;一承载盘,其定位成靠近该反应室盖总成,该承载盘包括一用以加热基板之第二加热构件;一制程室,其至少容纳该反应室盖总成及该承载盘;以及一控制器,其配置成用以控制该第一加热构件,以便抑制该第二加热构件所产生之热能从该承载盘传导至该反应室盖总成。
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地址 |
日本 |