| 摘要 |
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren, das die Herstellung eines Rückseitenkontaktsystems "All-by-Laser Point-Contact-Scheme" (ALPS) ermöglicht, wird vor dem Aufbringen der organischen Isolationsschicht auf die Emitterschicht eine TCO-Schicht aufgebracht, danach werden Löcher für die Kontakte zur Silizium-Absorberschicht in der Isolationsschicht erzeugt, indem zunächst an zukünftigen Orten der Kontakte zur Silizium-Absorberschicht in der organischen Isolationsschicht mit einem gepulsten UV-Laser Markierungen ohne durchgängigen Materialabtrag erzeugt und diese anschließend in mindestens einem nasschemischen, selektiven Ätzschritt zunächst bis zur TCO-Schicht und dann in mindestens einem weiteren Ätzschritt durch die Emitterschicht hindurch zur Silizium-Absorberschicht geätzt werden, anschließend in analoger Weise Löcher für die Kontakte zur Emitterschicht in der Isolationsschicht erzeugt werden, wobei der empfindliche Emitter nicht beschädigt wird. Abschließend können auf Grund der ausschließlichen Verwendung von Lasern für die positionierungsrelevanten Prozesse die erzeugten Löcher für die Kontakte zur Si-Absorberschicht mittels Lasers selektiv dotiert werden. |
