| 摘要 |
本発明の太陽電池素子（９）は、透明基板本体（２１）と、ＭｇｘＡｇ１−ｘ層（０．００１≦ｘ≦０．０４５）（２２）と、ＺｎＯ層（２３）と、透明導電層（３）と、光電変換層（４）と、が順に積層されている。光電変換層（４）はｎ型半導体層（４１）とｐ型半導体層（４２）とを含み、ｎ型半導体層に電気的に接続されたｎ側電極（６）と、ｐ型半導体層に電気的に接続されたｐ側電極（７）と、をさらに備る。ＭｇｘＡｇ１−ｘ層（２２）は２〜１３ｎｍの厚みを有し、ＺｎＯ層は２０〜８７０ｎｍの算術平均粗さを有し、ＺｎＯ層（２３）はＭｇｘＡｇ１−ｘ層の表面上に成長した複数のＺｎＯ柱状結晶粒により構成され、各ＺｎＯ柱状結晶粒は透明基板本体の法線方向に沿った長手方向を有すると共に、ＭｇｘＡｇ１−ｘ層（２２）から透明導電層（３）に向けて増加する幅を有し、その幅は、透明基板本体の法線方向に沿って各ＺｎＯ柱状結晶粒を切断することにより現れ、各ＺｎＯ柱状結晶粒は、１．１〜１．８のＲ２／Ｒ１比を有し、Ｒ１は、ＭｇｘＡｇ１−ｘ層（２２）の表面に接するＺｎＯ柱状結晶粒の一端の幅を表し、Ｒ２は、ＺｎＯ柱状結晶粒の他端の幅を表わす。 |
