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Es wird eine Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung bereitgestellt, die ein Brechen eines Elements bei Last-Kurzschluss verhindert. Ein MOSFET (1) umfasst eine Siliziumkarbidschicht (10), einen Gate-Isolierfilm (15), eine Gate-Elektrode (27), eine Source-Elektrode (16) und eine Drain-Elektrode (20). Die Siliziumkarbidschicht (10) umfasst einen Driftbereich (12), ein Körpergebiet (13) und ein Source-Gebiet (14). Der MOSFET (1) ist so konfiguriert, dass sich ein Vergleichsausdruck n < –0.02RonA + 0,7 bildet, wenn eine Kontaktbreite des Source-Gebiets (14) und der Source-Elektrode (16) in einem Querschnitt einer Dickenrichtung der Siliziumkarbidschicht (10) und einer Ladungsträgermigrationsrichtung in dem Körpergebiet (13) durch n (μm) und ein Durchlasswiderstand des MOSFET (1) in einem Zustand, in dem eine Inversionsschicht in einem Kanalgebiet (CH) gebildet wird, durch RonA (m&OHgr;cm2) dargestellt sind. |
